OCH1970VAD-H是燦瑞專為磁軸鍵盤(pán)應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款具備超高精度和微低功耗特性的3D數(shù)字輸出線性霍爾傳感器芯片。

該芯片的電路設(shè)計(jì)融合了霍爾元件、斬波處理電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)模塊以及通訊模塊等精密電路。它不僅支持I2C和SPI兩種主流的通訊協(xié)議，還提供三軸16位的精確數(shù)據(jù)輸出，并具備寬廣的靈敏度編程范圍，滿足各種復(fù)雜環(huán)境下的高精度檢測(cè)需求。

OCH1970VAD-H設(shè)計(jì)了虛通道可配置磁傳感器架構(gòu)，實(shí)時(shí)修調(diào)靜態(tài)輸出電壓、帶隙基準(zhǔn)、靈敏度熱敏偏移、內(nèi)部偏置點(diǎn)、輸出鉗位電壓等性能參數(shù)，為芯片靈活的失調(diào)消除和精度匹配奠定基礎(chǔ)。

在高靈敏度模式下，OCH1970的靈敏度達(dá)到1.1μT/LSB，測(cè)量量程為±36mT；寬量程模式下，靈敏度達(dá)3.1μT/LSB，量程范圍為：XY軸±34.9mT；Z軸±101.5mT，實(shí)現(xiàn)更快、更準(zhǔn)確的檢測(cè)。

器件采用版圖對(duì)稱布局、敏感線網(wǎng)襯底隔離、數(shù)模磁版圖隔離環(huán)等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)版圖匹配的面積節(jié)約化。器件工作電壓范圍為1.7V至3.6V，待機(jī)功耗僅8uA，響應(yīng)頻率達(dá)200Hz。與國(guó)外3D霍爾效應(yīng)位置傳感器相比，在保持系統(tǒng)性能的同時(shí)，功耗降低，應(yīng)用可配置模式，為電池供電或關(guān)注系統(tǒng)效率的輕負(fù)載模式中降低功耗。

OCH1970VAD-H設(shè)計(jì)了超小型封裝DFN-8，由于其緊湊的面積、超薄封裝和極低功耗，該旋轉(zhuǎn)磁性位置傳感器結(jié)合平面和垂直霍爾效應(yīng)技術(shù)，輸出多方向感測(cè)磁性位置，為客戶提供可配置的信號(hào)路徑，以便優(yōu)化感測(cè)精度。該器件高集成度能夠?qū)⒍鄠€(gè)磁性開(kāi)關(guān)功能集成到單一芯片，實(shí)現(xiàn)一芯多用，打造人工智能“中國(guó)芯”

典型應(yīng)用-磁軸鍵盤(pán)

磁軸包括軸芯、霍爾傳感器和彈簧。 當(dāng)按鍵被按下時(shí)，磁鐵會(huì)靠近霍爾傳感器，感應(yīng)到磁場(chǎng)的變化，導(dǎo)致霍爾電壓超過(guò)閾值并觸發(fā)相應(yīng)的動(dòng)作,松開(kāi)時(shí)，磁性開(kāi)關(guān)再次感應(yīng)到磁場(chǎng)的變化。

與傳統(tǒng)的機(jī)械鍵盤(pán)有所不同，磁軸鍵盤(pán)的軸體采用了霍爾效應(yīng)技術(shù)，可以更快速、更穩(wěn)定地觸發(fā)按鍵，同時(shí)也具有更高的耐用性和更長(zhǎng)的使用壽命。

OCH1970VAD-H是一款專為磁軸鍵盤(pán)打造的低功耗線性霍爾傳感器，其高靈敏度模式可以感應(yīng)到微弱的磁場(chǎng)變化，觸發(fā)鍵程可在0.1mm到4.0mm之間隨意修改，精度高達(dá)0.1mm，其寬量程模式可感應(yīng)最大101.5mT的磁場(chǎng)。OCH1970VAD-H支持高速SPI通訊，可同時(shí)控制多個(gè)按鍵并且響應(yīng)更加快速。超小型的DFN2030-8封裝（0.55mm的標(biāo)稱高度）適用于面積緊湊的磁軸應(yīng)用。