OCS發(fā)布超高精度，微低功耗3D線性霍爾磁軸芯片OCH1970VAD-H
OCH1970VAD-H是燦瑞專為磁軸鍵盤應用設計的一款具備超高精度和微低功耗特性的3D數(shù)字輸出線性霍爾傳感器芯片。
該芯片的電路設計融合了霍爾元件、斬波處理電路、模數(shù)轉換(ADC)模塊以及通訊模塊等精密電路。它不僅支持I2C和SPI兩種主流的通訊協(xié)議，還提供三軸16位的精確數(shù)據(jù)輸出，并具備寬廣的靈敏度編程范圍，滿足各種復雜環(huán)境下的高精度檢測需求。
- 更快、更準確實時控制
OCH1970VAD-H設計了虛通道可配置磁傳感器架構，實時修調靜態(tài)輸出電壓、帶隙基準、靈敏度熱敏偏移、內部偏置點、輸出鉗位電壓等性能參數(shù)，為芯片靈活的失調消除和精度匹配奠定基礎。
在高靈敏度模式下，OCH1970的靈敏度達到1.1μT/LSB，測量量程為±36mT；寬量程模式下，靈敏度達3.1μT/LSB，量程范圍為：XY軸±34.9mT；Z軸±101.5mT，實現(xiàn)更快、更準確的檢測。
- 低功耗、提升電源效率
器件采用版圖對稱布局、敏感線網(wǎng)襯底隔離、數(shù)模磁版圖隔離環(huán)等技術，實現(xiàn)版圖匹配的面積節(jié)約化。器件工作電壓范圍為1.7V至3.6V，待機功耗僅8uA，響應頻率達200Hz。與國外3D霍爾效應位置傳感器相比，在保持系統(tǒng)性能的同時，功耗降低，應用可配置模式，為電池供電或關注系統(tǒng)效率的輕負載模式中降低功耗。
- 高集成度、小尺寸迭代
OCH1970VAD-H設計了超小型封裝DFN-8，由于其緊湊的面積、超薄封裝和極低功耗，該旋轉磁性位置傳感器結合平面和垂直霍爾效應技術，輸出多方向感測磁性位置，為客戶提供可配置的信號路徑，以便優(yōu)化感測精度。該器件高集成度能夠將多個磁性開關功能集成到單一芯片，實現(xiàn)一芯多用，打造人工智能“中國芯”
OCH1970VAD-H技術優(yōu)勢
三軸各16Bit數(shù)字輸出，支持內部編程實現(xiàn)三軸開關霍爾功能
支持I2C&SPI兩種通訊協(xié)議
可編程開關功能-3D霍爾開關
磁場測量范圍及靈敏度可選
高靈敏度模式：靈敏度1.1μT/LSB、測量范圍3軸：±36mT
寬量程模式：靈敏度3.1μT/LSB、測量范圍：X/Y：34.9mT Z:101.5mT
工作電壓范圍：1.7~3.6V
工作溫度范圍:-40?C to +85?C
待機功耗：8uA
響應頻率：200Hz(Max)
封裝：DFN-8
典型應用-磁軸鍵盤
磁軸包括軸芯、霍爾傳感器和彈簧。 當按鍵被按下時，磁鐵會靠近霍爾傳感器，感應到磁場的變化，導致霍爾電壓超過閾值并觸發(fā)相應的動作,松開時，磁性開關再次感應到磁場的變化。
與傳統(tǒng)的機械鍵盤有所不同，磁軸鍵盤的軸體采用了霍爾效應技術，可以更快速、更穩(wěn)定地觸發(fā)按鍵，同時也具有更高的耐用性和更長的使用壽命。
OCH1970VAD-H是一款專為磁軸鍵盤打造的低功耗線性霍爾傳感器，其高靈敏度模式可以感應到微弱的磁場變化，觸發(fā)鍵程可在0.1mm到4.0mm之間隨意修改，精度高達0.1mm，其寬量程模式可感應最大101.5mT的磁場。OCH1970VAD-H支持高速SPI通訊，可同時控制多個按鍵并且響應更加快速。超小型的DFN2030-8封裝（0.55mm的標稱高度）適用于面積緊湊的磁軸應用。
